[发明专利]阵列基板及其制备方法在审
申请号: | 202010787785.7 | 申请日: | 2020-08-07 |
公开(公告)号: | CN111968994A | 公开(公告)日: | 2020-11-20 |
发明(设计)人: | 艾飞;宋继越;宋德伟;龚帆 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G06K9/00 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 汪阮磊 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请提供一种阵列基板及其制备方法,所述阵列基板包括基板、第一薄膜晶体管、第一层间介质层、感光传感器以及第一金属层,所述第一薄膜晶体管设置于所述基板上,所述第一层间介质层覆盖所述第一薄膜晶体管以及所述基板,所述第一层间介质层包括第一通孔,所述第一通孔贯穿所述第一层间介质层以暴露所述第一薄膜晶体管层,所述感光传感器设置于所述第一层间介质层上,并位于所述第一薄膜晶体管之上,所述第一金属层设置于所述第一通孔,并电连接所述第一薄膜晶体管和所述感光传感器。通过将感光传感器设置于第一薄膜晶体管上,提高了阵列基板的开口率,并提高感光传感器的灵敏度。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电技术有限公司,未经武汉华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010787785.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种带着导向组件模板固定装置
- 下一篇:一种装饰木材加工用激光雕刻装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的