[发明专利]一种硒化锑薄膜的制备方法及应用在审

专利信息
申请号: 202010788043.6 申请日: 2020-08-07
公开(公告)号: CN111876809A 公开(公告)日: 2020-11-03
发明(设计)人: 李雨蒙;朱长飞;陈涛;江国顺 申请(专利权)人: 中国科学技术大学
主分类号: C25D9/04 分类号: C25D9/04;C25D7/12;H01L31/18
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 张雪娇
地址: 230026 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明提供了一种硒化锑薄膜的制备方法,包括:将衬底浸入电沉积溶液中,利用电化学沉积法在衬底上沉积硒化锑薄膜;所述电沉积溶液包括含锑化合物、含硒化合物与辅助电解质;所述辅助电解质为含有氨基的化合物。与现有技术相比,本发明采用电化学沉积法可快速制得结晶性良好的硒化锑薄膜,进而使太阳能电池具有较好的光电响应;并且电化学沉积法制备简单,能够在不同类型的导电基底上进行大规模生产,可进行连续,多组分的低温沉积。
搜索关键词: 一种 硒化锑 薄膜 制备 方法 应用
【主权项】:
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