[发明专利]一种高亮度深紫外LED芯片结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202010788587.2 | 申请日： | 2020-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN111900236A | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 史伟言;张磊;刘建哲;徐良;李京波;夏建白 | 申请（专利权）人： | 黄山博蓝特半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/32;H01L33/12;H01L33/22 |
| 代理公司： | 芜湖众汇知识产权代理事务所(普通合伙) 34128 | 代理人： | 曹宏筠 |
| 地址： | 245000 安徽省黄山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高亮度深紫外LED芯片及其制作方法，所述高亮度深紫外LED芯片，包括外延层，所述外延层包括缓冲层，依次叠加设置在缓冲层上的N型GaN层，量子阱结构及P型GaN层，所述缓冲层相对于设置N型GaN层的另一面设置有纳米级图形。所述高亮度深紫外LED芯片的其制作方法，其主要是在衬底上形成纳米级图形凹坑，并在其上沉积一层石墨烯薄膜，再在石墨烯薄膜上形成外延层，通过石墨烯的特性，使外延层与衬底分离，从而形成没有衬底的深紫外LED芯片。该芯片结构上方无衬底，芯片发光时可以减少因衬底反射造成的光损失，且芯片结构上出光面，即缓冲层表面具有纳米级图形，能够大大增加光的出光效率，从而大大提高了深紫外LED芯片的发光亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 亮度 深紫 led 芯片 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于黄山博蓝特半导体科技有限公司，未经黄山博蓝特半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010788587.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
