[发明专利]一种改善衬底电阻率的衬底晶圆结构以及制备方法在审
| 申请号： | 202010794094.X | 申请日： | 2020-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN111969039A | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 王俊;俞恒裕 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/22;H01L21/265;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京精金石知识产权代理有限公司 11470 | 代理人： | 肖乐愈秋 |
| 地址： | 410000 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善衬底电阻率的衬底晶圆结构以及制备方法，涉及一种半导体衬底晶圆，包括：按照晶圆厂商所提供的衬底晶圆，划分成不同电阻率范围；选取不同电阻率范围的衬底晶圆，进行离子注入或掺杂，在表面一定窗口范围内形层高浓度表面区域，注入或掺杂的离子在窗口表面以下以高斯分布的形式存在，并通过高温扩散形成的三维晶圆结构通过多次实验形成不同注入或掺杂窗口和注入或掺杂深度与降低电阻率百分比的对应关系表；在后期的衬底晶圆电阻率的改善上，对应表进行高效精准的衬底晶圆电阻率优化本发明实用性强，控制方案好，效果明显，在性能大幅提高的同时极大方便了户的需求，降低制作成本，满足当下的工艺条件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 衬底 电阻率 结构 以及 制备 方法 | ||
【主权项】：
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