[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
申请号: | 202010794352.4 | 申请日: | 2020-08-10 |
公开(公告)号: | CN112349682A | 公开(公告)日: | 2021-02-09 |
发明(设计)人: | 侯上勇;胡宪斌 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/538 | 分类号: | H01L23/538;H01L23/31;H01L21/56;H01L25/18;H01L21/60 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 提供了半导体器件及其制造方法。在实施例中,半导体器件包括:衬底;接合至衬底的第一中介层;接合至衬底的第二中介层;将第一中介层电连接至第二中介层的桥接组件;接合至第一中介层的两个或更多第一管芯;以及接合至第二中介层的两个或更多第二管芯。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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