[发明专利]一种抗单粒子辐射加固的GaN器件有效
| 申请号： | 202010797183.X | 申请日： | 2020-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN111883593B | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 王颖;程有忠;曹菲;包梦恬;于成浩 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L29/40;H01L29/47 |
| 代理公司： | 北京东方盛凡知识产权代理事务所(普通合伙) 11562 | 代理人： | 张换君 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开一种抗单粒子辐射加固的GaN器件，包括由下到上依次层叠设置的衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、钝化层；抗单粒子辐射加固的GaN器件的两端分别设有源极、漏极；源极、漏极贯穿势垒层、钝化层；源极、漏极之间设有沟槽，沟槽贯穿势垒层、钝化层；沟槽内设有栅极，栅极与沟槽内壁之间设有栅介质层；栅极、漏极上部分别连接有栅场板、漏场板；势垒层上还设有埋N阱，埋N阱厚度与势垒层厚度相同，埋N阱与沟槽之间设有间隙；埋N阱顶部连接有肖特基电极，肖特基电极与埋N阱宽度相同且上下对应设置，肖特基电极顶部设有肖特基电极场板。本发明能够防止器件在低漏极偏置电压下发生烧毁，有效提升了GaN器件的单粒子烧毁阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 粒子 辐射 加固 gan 器件 | ||
【主权项】：
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