[发明专利]一种用于半导体抛光的纳米水性硅溶胶的制备方法有效
| 申请号： | 202010797527.7 | 申请日： | 2020-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN112010318B | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 张倩;刘三川;郭建学;杨兴旺 | 申请（专利权）人： | 深圳市科玺化工有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/141 | 分类号： | C01B33/141 |
| 代理公司： | 宜昌市三峡专利事务所 42103 | 代理人： | 成钢 |
| 地址： | 518120 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于半导体抛光的纳米水性硅溶胶的制备方法。在无尘实验室中，向分析纯混合醇溶剂中加入分析纯催化剂和高纯水，搅拌均匀，配制溶液A；向溶液A中按时按量加入分析纯有机硅源，控制硅源加入量随着反应时间逐级递减；在25～45℃下搅拌反应5～15h，反应完成后加入高纯水，进行蒸发浓缩，得到高纯纳米水性硅溶胶。通过控制催化剂的加入量和混合醇的比例，控制硅溶胶在目标粒径±5nm的范围内生长；通过控制有机硅源的加入量逐级递减，使硅溶胶颗粒均匀稳定地生长，得到的水性硅溶胶性能稳定。根据半导体化学机械抛光液的需求，可调节成酸性或者碱性，具体为酸性2~4，碱性8~11，调节pH后，不会影响硅溶胶的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 半导体 抛光 纳米 水性 硅溶胶 制备 方法 | ||
【主权项】：
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