[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202010798554.6 | 申请日： | 2020-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN113394275A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 西川俊幸;菅原秀人 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L21/285 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 白丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施方式的半导体装置具备：包含n型杂质的III‑V族半导体层；第1导电层，所述第1导电层设置于III‑V族半导体层上，包含Ti(钛)及可成为III‑V族半导体层的p型杂质的第1元素，且具有第1区域和第1元素浓度高于第1区域的第2区域；和设置于第1导电层上的第2导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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