[发明专利]一种基于激光键合的立体电路积层制造方法有效
| 申请号： | 202010800390.6 | 申请日： | 2020-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN111933531B | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 王运龙;魏晓旻;郭育华;刘建军 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/50;H01L25/16 |
| 代理公司： | 合肥市浩智运专利代理事务所(普通合伙) 34124 | 代理人： | 丁瑞瑞 |
| 地址： | 230088 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于激光键合的立体电路积层制造方法，所述立体电路包含多个介质层、导体层和层间互联孔，在传统介质层金属化的基础上通过介质层与导体层直接激光键合实现电路的积层制造，激光键合包括：介质层或导体层表面处理；层间对位固定；激光选择性照射实现局部键合；本发明的优点在于：能够实现芯片等有源芯片的气密性集成，有利于立体电路的高效集成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 激光 立体 电路 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
