[发明专利]只读存储器阵列结构、电子设备、扩展方法及编码方法在审
| 申请号： | 202010802417.5 | 申请日： | 2020-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN111933200A | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 黄础熠;黒木孝一;刘雯 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C7/18;G11C8/14;G11C8/16 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种只读存储器阵列结构、电子设备、扩展方法及编码方法，读存储器阵列结构包括(m+1)*n个源极/漏极；m条沿行方向排列的字线以及m块与字线连接的栅极；(m+1)*n个位于第一金属层的连接块；(m+1)*n个第一连接孔，第一连接孔连接存储单元的有源区和连接块；n条位线和(n+1)条地线沿列方向交替排列，位线和地线位于第二金属层；若干个第二连接孔，第二连接孔连接第一金属层和第二金属层；其中，第二连接孔的个数由存储数据“0”的个数决定。阵列区的位线和地线互相间隔排列，地线插入相邻位线之间可以有效屏蔽位线之间互相干扰。位线和地线走线整齐，阵列区使用一套简单的连接孔调用规则就可以实现数据的准确存储，便于使用时程序化拼接版图。 | ||
| 搜索关键词： | 只读存储器 阵列 结构 电子设备 扩展 方法 编码 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010802417.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
