[发明专利]一种新型ta-c涂层工艺在审
| 申请号： | 202010803097.5 | 申请日： | 2020-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN111962020A | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 刘成斌;黄明章 | 申请（专利权）人： | 东莞市普拉提纳米科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/35;C23C14/14 |
| 代理公司： | 东莞市启信展华知识产权代理事务所(普通合伙) 44579 | 代理人： | 冯蓉 |
| 地址： | 523000 广东省东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型ta‑c涂层工艺，属于ta‑c涂层技术领域，包括以下步骤：S1：清洗等离子清洗基体表面杂质；S2：在已加温的真空炉腔内进行氩离子轰击以清除基体表面杂质；S3：基体表面放置于靶座的永磁场与电磁场叠加的靶材磁场内通过Cr打底；S4：采用HiPIMS磁控电源负偏压，矩形靶做的永磁场与电磁的叠加，很大程度够上增加Ar的离化率；S5：形成的ta‑c涂层与基片的热膨胀系数有差异改变，与基片原子相互扩散可以有效提高粘着力形成ta‑c功能层。靶座的永磁场与电磁场叠加的靶材磁场，提高靶材的溅射效率，也提高了生产效率HiPIMS磁控溅射技术，保证了膜层良好的附着力和膜层的致密性，表面光洁度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 ta 涂层 工艺 | ||
【主权项】：
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