[发明专利]一种LDMOS结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202010805199.0 | 申请日： | 2020-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN111969061A | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 无锡先仁智芯微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/36;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京知鲲知识产权代理事务所(普通合伙) 11866 | 代理人： | 李光平 |
| 地址： | 214063 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制作技术领域，具体涉及一种LDMOS结构及其制作方法，旨在解决现有技术中LDMOS器件的击穿电压和导通电阻之间的矛盾问题，其技术要点在于包括半导体衬底；阱区，位于半导体衬底中；体区，位于半导体衬底的阱区一侧；栅极结构，其包括叠加形成的栅介质层和多晶硅栅；源极结构，位于体区表面并与多晶硅栅的第一侧面对准；漏极结构，位于阱区表面并靠述多晶硅栅的第二侧面；漂移区，位于栅极结构、漏极结构的交接区域，且其掺杂浓度从栅极结构开始沿横向逐渐增加。本方案通过实现漂移区的掺杂浓度横向逐渐变化，使得LDMOS器件的击穿电压增加，且不会使得导通电阻增加太多，从而提高LDMOS器件的性能和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ldmos 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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