[发明专利]一种室温InAsSb纳米线中红外光电探测器及制备方法

摘要

本发明公开了一种室温InAsSb纳米线中红外光电探测器及制备方法，其中，探测器包括：衬底；二氧化硅介质层，设于衬底上；InAsSb纳米线，外部包覆Al2O3介质层并设于二氧化硅介质层上；所述InAsSb纳米线一端引出有第一电极，另一端引出有第二电极；所述第一电极和第二电极均设置于二氧化硅介质层上；铁电薄膜栅，旋涂在Al2O3介质层上；透明栅电极，设置于铁电薄膜栅顶部。本发明的探测器工作时，外部的铁电薄膜栅能够有效抑制器件暗电流，内部的Al2O3介质层能够降低表面非辐射复合中心密度，达到减小室温下器件暗电流的目的，增强了InAsSb纳米线表面对可见光生电子的束缚作用，从原理上解决了传统InAsSb纳米线红外探测器只能工作在低温下的缺陷，最终保证了室温环境下的有效性。