[发明专利]一种生长碲化铜的方法、碲化铜及应用有效
| 申请号： | 202010807255.4 | 申请日： | 2020-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN111874876B | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 陈莹 | 申请（专利权）人： | 湖北工业大学 |
| 主分类号： | C01B19/00 | 分类号： | C01B19/00 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 杨采良 |
| 地址： | 430068 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于半导体材料制备技术领域，公开了一种采用新原料生长碲化铜的方法、碲化铜及应用，将衬底，碘化亚铜和碲粉，依次放置后，利用化学气相沉积法生长少层碲化铜二维材料，生长时间30min‑1h，生长温度500℃‑800℃。本发明提供了一种采用新原料生长碲化铜的制备方法，原料碲化铜价格低廉，生长过程简单，可重复性高，安全环保，有效克服了现有技术中制备方法能耗高，时间长的缺点，且本发明的制备方法中所需设备简单，在实验室研究和工业应用方面都具有较高的推广价值。本发明所提供的制备方法得到的碲化铜结晶性好，产量大，容易转移，为大批量生产碲化铜提供理论参考。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 碲化铜 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖北工业大学，未经湖北工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010807255.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种芝士味奶盖及其制备方法
- 下一篇：多系统供电时序控制电路
