[发明专利]半导体元件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010809097.6 | 申请日： | 2020-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN112447827A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 马丁·克里斯多福·霍兰德;布莱戴恩·杜瑞兹;马库斯·琼斯·亨利库斯·范达尔;奥野泰利 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体元件及其制造方法，在一个实施例中，一种器件包括：具有通道区的半导体基板；通道区上方的栅堆叠；以及与栅堆叠相邻的磊晶源极/漏极区，该磊晶源极/漏极区包括：半导体基板中的主要部分，主要部分包括掺有镓的半导体材料，主要部分中的镓的第一浓度小于半导体材料中镓的固体溶解度；在主体部分上的终端部分，终端部分掺有镓，终端部分中镓的第二浓度大于半导体材料中镓的固体溶解度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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