[发明专利]一种半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 202010809812.6 | 申请日： | 2020-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN114078746A | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 江涛 | 申请（专利权）人： | 中芯南方集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市一法律师事务所 11654 | 代理人： | 刘荣娟 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供半导体结构的形成方法，所述方法包括：提供衬底，所述衬底上形成有第一介质层以及贯穿所述第一介质层的金属连接结构；在所述第一介质层表面和所述金属连接结构表面形成第二介质层；在所述第二介质层中形成沟槽，所述沟槽暴露所述金属连接结构的表面；使用碱性清洗溶液清洗所述沟槽；钝化处理所述暴露出的金属连接结构表面。本申请所述的半导体结构的形成方法，使用碱性溶液来清洗所述沟槽，不会腐蚀或损伤所述金属连接结构；进一步地，清洗完成后对所述金属连接结构进行钝化处理来进行保护，可以提高器件可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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