[发明专利]磁存储器件在审
| 申请号： | 202010811130.9 | 申请日： | 2020-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN112397639A | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 李叙元;文廷桓;朴正熏;金禹珍;洪亨善 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/14;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 翟然 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 磁存储器件包括：器件隔离层，在衬底上并限定有源区；源极区和漏极区，在衬底的有源区中彼此分开；沟道部分，在衬底的有源区中并在源极区和漏极区之间；自旋轨道矩(SOT)诱导层，在衬底的沟道部分上；在SOT诱导层上的磁隧道结(MTJ)结构，该MTJ结构包括在SOT诱导层上的自由层、在自由层上的隧道势垒层和在隧道势垒层上的被钉扎层；在MTJ结构上的字线；电连接到源极区的源极线；以及电连接到漏极区的位线。 | ||
| 搜索关键词： | 磁存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010811130.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有正弦数模转换器的马达步进驱动器
- 下一篇：信号处理设备以及其触摸显示设备
