[发明专利]非电易失性组合存储器件及其操作方法有效
| 申请号： | 202010811131.3 | 申请日： | 2020-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN112071345B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 高滨;赵美然;吴华强;唐建石;钱鹤 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;G11C5/10;G11C7/06;G11C11/40 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出两种非电易失性组合存储器件及其操作方法，其中，器件主要包括：阻变存储器、晶体管和存储电容；当阻变存储器和存储电容串联时，存储电容另一端与晶体管源端相连，阻变存储器与源线相连，存储电容与阻变存储器中间引出第二字线，晶体管栅极与第一字线相连、晶体管漏极与位线相连；当阻变存储器和存储电容并联时，存储电容与阻变存储器并联的公共端与晶体管源端相连，存储电容接地，阻变存储器与源线相连，晶体管栅极与字线相连、晶体管漏极与位线相连。另外，其存储电容均可采用堆叠式或沟槽式制造。由此，本申请的两种结构除了具备非电易失性、高速和低功耗的特征之外，还具备工艺制造灵活性，容易实现低成本制造的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 非电易失性 组合 存储 器件 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
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