[发明专利]一种具有高K介质沟槽栅的MOSFET及其制备方法在审
| 申请号： | 202010811389.3 | 申请日： | 2020-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN111952373A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 李加洋;胡兴正;薛璐;刘海波 | 申请（专利权）人： | 南京华瑞微集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 施昊 |
| 地址： | 211800 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有高K介质沟槽栅的MOSFET及其制备方法，在栅氧化层内侧增加一层高K介质薄膜，所述高K介质薄膜的介电常数为栅氧化层的2‑3倍。本发明通过增加一层致密的高K介质薄膜，可有效降低栅源漏电，提高沟槽底部的耐压能力，优化器件电特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 介质 沟槽 mosfet 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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