[发明专利]高频下具有低介电常数和损耗的硅氧烷及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202010813742.1 | 申请日： | 2020-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN111909192B | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 房强;刘凤萍;孙晶 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海有机化学研究所 |
| 主分类号： | C07F7/08 | 分类号： | C07F7/08;C08F130/08 |
| 代理公司： | 上海一平知识产权代理有限公司 31266 | 代理人： | 高一平;徐迅 |
| 地址： | 200032 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及高频下具有低介电常数和损耗的硅氧烷及其制备方法和应用。具体地，本发明公开了一种硅氧烷单体，以所述单体固化所得树脂在高频下具有低介电常数和低介电损耗、高耐热性、良好加工性和低吸水率，特别适合用于制备高频电路板。 | ||
| 搜索关键词： | 高频 具有 介电常数 损耗 硅氧烷 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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