[发明专利]低欧姆接触电阻的GaN基高电子迁移率晶体管及制备方法有效
| 申请号： | 202010814955.6 | 申请日： | 2020-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN111969045B | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 许晟瑞;艾立霞;马德濮;张雅超;段小玲;陈大正;李培咸;张进成;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/20;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种低欧姆接触电阻的GaN基高电子迁移率晶体管及制备方法，其中，该晶体管包括：自下而上依次层叠的衬底层、Ga极性GaN层和势垒层；源区，位于Ga极性GaN层和势垒层内部；漏区，位于Ga极性GaN层和势垒层内部，且与源区间隔设置；源极，设置在源区的上表面；漏极，设置在漏区的上表面；栅极，设置在势垒层的上表面，且位于源极和漏极之间；其中，势垒层的材料为n型Al |
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| 搜索关键词： | 欧姆 接触 电阻 gan 电子 迁移率 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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