[发明专利]增强模式III族氮化物基晶体管器件在审
| 申请号： | 202010815432.3 | 申请日： | 2020-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN112397585A | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | G·普雷希特;G·库拉托拉;O·赫伯伦 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张凌苗;申屠伟进 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供增强模式III族氮化物基晶体管器件，包括包括第一表面的本体，本体包括布置在III族氮化物沟道层上的III族氮化物势垒层并在其间形成能支持二维载气的异质结，包括多个晶体管单元的第一单元场和边缘区。每个晶体管单元包括在第一表面上且在纵向方向上基本上彼此平行延伸的源极指状物、栅极指状物和漏极指状物。栅极指状物横向地布置在源极指状物与漏极指状物之间并且包括布置在金属栅极指状物与第一表面之间的p掺杂III族氮化物指状物。边缘区围绕多个晶体管单元且包括边缘终止结构。边缘终止结构包括隔离环和p掺杂III族氮化物流道。隔离环局部地中断异质结。p掺杂III族氮化物流道与纵向方向横断地延伸且横向地位于隔离环和漏极指状物的第一端之间。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 模式 iii 氮化物 晶体管 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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