[发明专利]磁存储装置在审
| 申请号： | 202010816455.6 | 申请日： | 2020-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN113380944A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 泽田和也;李永珉;及川忠昭;北川英二;矶田大河 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 张轶楠;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式提供能够使隧穿磁阻比率提高的磁存储装置。一个实施方式的磁存储装置具备磁阻效应元件。磁阻效应元件包括第1～第3铁磁性层、第1与第2铁磁性层之间的第1非磁性层以及第2与第3铁磁性层之间的第2非磁性层。第2铁磁性层位于第1与第3铁磁性层之间。第3铁磁性层包括与第2非磁性层相接的第4铁磁性层、第3非磁性层及第4铁磁性层与第3非磁性层之间的第4非磁性层。第1非磁性层包含氧化物，该氧化物包含镁即Mg。第4非磁性层的熔点比第3非磁性层的熔点高。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 | ||
【主权项】：
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