[发明专利]用于制造半导体封装的方法在审
| 申请号： | 202010816812.9 | 申请日： | 2020-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN112397401A | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 金茶譓;金东奎;朴正镐 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/498;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于制造半导体封装的方法包括在第一载体基板上形成离型层。蚀刻停止层在离型层上形成。第一再分布层在蚀刻停止层上形成，并包括多条第一布线和围绕所述多条第一布线的第一绝缘层。第一半导体芯片在第一再分布层上形成。焊料球在第一再分布层与第一半导体芯片之间形成。第二载体基板在第一半导体芯片上形成。去除第一载体基板、离型层和蚀刻停止层。去除第二载体基板。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体 封装 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
