[发明专利]CIS的微透镜的形成方法在审
| 申请号： | 202010817465.1 | 申请日： | 2020-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN111933652A | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 孙少俊;程刘锁;黄鹏 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种CIS的微透镜的形成方法，包括：在第一介质层上的目标区域覆盖光阻，第一介质层形成于CIS的像素单元层上，第一介质层中形成有金属连线，目标区域是像素单元层中的像素单元上方的区域；进行刻蚀，刻蚀至其它区域的第一介质层中的目标深度，目标区域的第一介质层形成前置微透镜，其它区域是第一介质层上除目标区域以外的其它区域；去除剩余的光阻；在第一介质层上形成第二介质层，前置微透镜上方的第二介质层形成微透镜。本申请实现了在CIS的制作过程中形成微透镜，不需要后段工艺进行制作，降低了CIS组件的工艺复杂度。 | ||
| 搜索关键词： | cis 透镜 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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