[发明专利]一种铬硅溅射靶材的制备方法在审
| 申请号： | 202010819727.8 | 申请日： | 2020-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN111996507A | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 姚力军;边逸军;潘杰;王学泽;李苛 | 申请（专利权）人： | 宁波江丰电子材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/14;B22F3/02;B22F3/10;B22F3/24;B22F9/04 |
| 代理公司： | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人： | 王岩 |
| 地址： | 315400 浙江省宁波市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种铬硅溅射靶材的制备方法，所述方法包括以下步骤：(1)将铬粉以及硅粉混合，并将混合粉料加入模具内压实；(2)将所述模具在真空条件下烧结，所述烧结包括第一保温阶段、第二保温阶段以及第三保温阶段；(3)烧结后所述模具在惰性气氛下冷却，得到所述铬硅溅射靶材。所述制备方法得到的铬硅溅射靶材的致密度＞99％的铬硅靶材，满足磁控溅射对靶材纯度和密度要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 溅射 制备 方法 | ||
【主权项】：
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