[发明专利]集成电路装置在审
申请号: | 202010820285.9 | 申请日: | 2020-08-14 |
公开(公告)号: | CN112635469A | 公开(公告)日: | 2021-04-09 |
发明(设计)人: | 金灿镐;边大锡;姜东求 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/11514 | 分类号: | H01L27/11514;H01L27/11521;H01L27/11526;H01L27/11563;H01L27/11568;H01L27/11573 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 赵南;张青 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种集成电路装置,包括:外围电路结构;存储器堆叠件,其包括位于外围电路结构上的在竖直方向上与外围电路结构重叠的多条栅极线;上衬底,其位于外围电路结构与存储器堆叠件之间,上衬底包括位于存储器堆叠件的存储器单元区下方的通孔;字线切割区,其跨过存储器堆叠件和通孔在第一横向上纵长地延伸;以及共源极线,其位于字线切割区中,共源极线包括第一部分和第二部分,第一部分在上衬底上在第一横向上纵长地延伸,第二部分一体地连接至第一部分,第二部分从上衬底的上部通过通孔穿透上衬底并且延伸至外围电路结构中。 | ||
搜索关键词: | 集成电路 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的