[发明专利]单端口在片校准件模型确定的方法及终端设备有效
| 申请号： | 202010820386.6 | 申请日： | 2020-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN112098793B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 王一帮;吴爱华;梁法国;刘晨;霍晔;栾鹏;孙静;李彦丽 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 秦敏华 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明适用于晶原级半导体器件微波特性测量技术领域，提供了一种单端口在片校准件模型确定的方法及终端设备，该方法包括：通过确定基于太赫兹频段的不同在片校准件模型；测量得到不同校准件的S参数；根据不同校准件的S参数，计算不同校准件的导纳；根据不同校准件对应的在片校准件模型，确定不同在片校准件模型对应的导纳公式；根据不同校准件的导纳以及对应的导纳公式，计算不同在片校准件模型中表征不同校准件串扰的参数。本实施例提供的不同在片校准件模型解决了在太赫兹频段标准件电路模型不完善带来的校准及测量误差，可以提高太赫兹频段在片S参数测试准确度；另外给出了不同在片校准件模型中参数的计算方法。 | ||
| 搜索关键词： | 端口 校准 模型 确定 方法 终端设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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