[发明专利]一种腔体谐振抑制结构及应用有效

专利信息
申请号: 202010822430.7 申请日: 2020-08-17
公开(公告)号: CN111740204B 公开(公告)日: 2020-11-24
发明(设计)人: 张兵;张勋;宋启河 申请(专利权)人: 浙江臻镭科技股份有限公司
主分类号: H01P7/06 分类号: H01P7/06;H01Q21/00
代理公司: 北京格允知识产权代理有限公司 11609 代理人: 刘晓
地址: 310000 浙江省杭州*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及一种腔体谐振抑制结构及应用。所述腔体谐振抑制结构用于抑制三维异构集成射频结构的腔体谐振;所述三维异构集成射频结构包括内嵌有射频芯片的下层转接板、与所述下层转接板对位键合的上层转接板和设置在所述射频芯片上的片上传输线;所述上层转接板在与所述射频芯片相对应的位置设置有空气腔;所述腔体谐振抑制结构包括依次设置在所述上层转接板的空气腔底部的电阻薄膜和谐振环族。本发明的所述腔体谐振抑制结构实现了硅转接板内嵌大尺寸多通道单片集成射频芯片结构的腔体谐振抑制,以及空气腔内嵌射频芯片的超宽带匹配和低插损传输,显著改善了相控阵幅相控制精度、带内幅度平坦度和带内相位线性度受腔体谐振的影响。
搜索关键词: 一种 谐振 抑制 结构 应用
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