[发明专利]场效应晶体管电路、方法、装置、芯片及电池管理系统在审
申请号: | 202010823718.6 | 申请日: | 2020-08-17 |
公开(公告)号: | CN112290927A | 公开(公告)日: | 2021-01-29 |
发明(设计)人: | 周号 | 申请(专利权)人: | 珠海迈巨微电子有限责任公司 |
主分类号: | H03K17/687 | 分类号: | H03K17/687;H01M10/42 |
代理公司: | 北京庚致知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11807 | 代理人: | 李伟波;李晓辉 |
地址: | 519000 广东省珠海市高新区唐家*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本公开提供了一种场效应晶体管电路,包括:场效应晶体管,所述场效应晶体管包括栅极、源极、漏极、衬底、第一寄生二极管和第二寄生二极管,其中所述第一寄生二极管和第二寄生二极管反向串联,所述第一寄生二极管和第二寄生二极管的串联电路的一端连接所述源极,并且所述串联电路的另一端连接所述漏极,所述第一寄生二极管和第二寄生二极管的连接点与所述衬底连接;以及开关,所述开关的一端与所述连接点连接,所述开关的另一端与所述源极连接。本公开还提供了一种场效应晶体管的控制方法、充放电控制装置、芯片、电池管理系统、及电设备。 | ||
搜索关键词: | 场效应 晶体管 电路 方法 装置 芯片 电池 管理 系统 | ||
【主权项】:
暂无信息
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