[发明专利]具有台阶形貌钝化层堆叠的高压半导体器件在审
| 申请号： | 202010825088.6 | 申请日： | 2020-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN112864232A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | A·科普罗夫斯基;O·胡姆贝尔;M·卡恩;C·沙伊费尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘茜璐;申屠伟进 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种高压半导体器件包括高压导电结构和在高压导电结构处或附近的台阶形貌。层堆叠覆盖台阶形貌。层堆叠包括电绝缘缓冲层、在电绝缘缓冲层之上的SiC层、以及在SiC层或SiC层的氮化表面区之上的氮化硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 台阶 形貌 钝化 堆叠 高压 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技股份有限公司，未经英飞凌科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010825088.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
