[发明专利]一种真空压弯式弯晶在审
| 申请号： | 202010825515.0 | 申请日： | 2020-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN112201383A | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 翁祖谦;刘星;刘鹏 | 申请（专利权）人： | 上海科技大学 |
| 主分类号： | G21K1/06 | 分类号： | G21K1/06 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 徐俊 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种真空压弯式弯晶，其特征在于：包括壳体，所述壳体上设有X射线入射口，从X射线入射口到壳体内部沿X射线入射方向依次设置X射线透射膜、单晶晶片和曲面基底，所述X射线透射膜、壳体的侧壁和底面形成密封腔体，所述密封腔体上设有用于抽真空的排气口，进行晶体压弯时，密封腔体内产生负压，大气压将X射线透射膜柔性地贴合在单晶晶片和曲面基底上。本发明采用真空压弯的方式，各种单晶晶片均可进行压弯，极大地扩展了弯晶的材料选择；利用大气压对单晶晶片和曲面基底柔性地施加应力，受力均匀，结构稳定；可以直接将单晶晶片和曲面基底贴合，复制曲面基底的面形，保持较高的面形精度；同一块单晶晶片可以搭配不同面形的曲面基底，降低制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 真空 压弯式弯晶 | ||
【主权项】：
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