[发明专利]一种基于超临界氮氧化合物改善4H-SiC/SiO2 有效
| 申请号： | 202010826629.7 | 申请日： | 2020-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN112151384B | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 刘卫华;王梦华;耿莉;杨明超;郝跃;杨松泉 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/18 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 高博 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于超临界氮氧化合物改善4H‑SiC/SiO2界面的低温处理方法及其应用，将待处理的碳化硅样品进行标准清洗；将清洗后的碳化硅样品干氧氧化生长氧化层；将带有氧化层的碳化硅样品放置到超临界设备内支架上，保证样品垂直；控制压强向超临界设备内充入氮氧气体；将超临界设备温度从23℃升到500℃；保持以上超临界状态处理，直到处理时间结束；反应结束后将反应釜温度降至室温，降压至大气压后取出。本发明不仅可以有效快速的降低界面态密度还可以显著降低工艺温度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 临界 氧化 改善 sic sio base sub | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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