[发明专利]一种硅异质结电池及其制作方法

摘要

本发明公开一种硅异质结电池及其制作方法，涉及太阳能电池技术领域，以降低P型掺杂硅层与透明导电层之间的肖特基势垒，减小P型掺杂硅层耗尽层宽度，从而增加空穴收集能力，提高电池性能。所述该硅异质结电池包括硅基底、界面反型层和第一透明导电层。硅基底包括掺杂硅衬底、P型掺杂硅层以及形成在掺杂硅衬底和P型掺杂硅层之间的第一本征硅层。界面反型层形成在P型掺杂硅层上。第一透明导电层形成在界面反型层上。该界面反型层包含极性有机分子。极性有机分子与P型掺杂硅层中的硅原子成键。界面反型层具有从透明导电层指向P型掺杂硅层的偶极矩。所述硅异质结电池的制作方法用于制作硅异质结电池。本发明提供的硅异质结电池用于光伏发电。