[发明专利]感光半导体结构及其感光波段调节方法、组成的光电器件有效
| 申请号： | 202010827989.9 | 申请日： | 2020-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN112151638B | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 李亭亭;项金娟;张青竹;王晓磊;贺晓彬;唐波;殷华湘;李俊峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L31/101 | 分类号： | H01L31/101;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 金铭 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种感光半导体结构及其感光波段调节方法、组成的光电器件。调节感光半导体结构的感光波段的方法，包括：所述感光半导体结构包括衬底和感光层；向所述感光层进行处理a或处理b中的至少一种，其中：处理a：退火处理，退火温度为750‑1200℃，通过控制所述退火的温度和/或时间来调节感光波段；处理b：掺杂硼和/或磷，通过控制硼和/或磷的掺杂比例来调节感光波段。本发明可通过退火或掺杂处理调整感光层的折射率、消光系数，从而调节感光波段，扩展了感光器件类型及应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 感光 半导体 结构 及其 波段 调节 方法 组成 光电 器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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