[发明专利]一种IGBT饱和导通电压测量电路在审
| 申请号： | 202010828602.1 | 申请日： | 2020-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN111929485A | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 吴晓光;黄辉;傅俊寅;汪之涵 | 申请（专利权）人： | 深圳青铜剑技术有限公司 |
| 主分类号： | G01R19/00 | 分类号： | G01R19/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪山区坑梓街*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种IGBT饱和导通电压测量电路，用于在IGBT饱和导通时测量饱和导通电压，所述电路包括二极管D1及相同型号的二极管D2，以分别用于与IGBT的集电极和发射极电连接，所述电路还包括电流源模块、电压转换模块及电压测量模块，所述电流源模块包括检流电阻，用于在IGBT饱和导通时产生第一电流，并在第一电流流经检流电阻后输出至二极管D1。所述电压转换模块用于获取检流电阻的压降，并对检流电阻的压降进行转换，以输出与第一电流大小相等的第二电流至二极管D2。所述电压测量模块用于根据二极管D1与二极管D2的阳极电压输出测量电压。如此，实现准确测量IGBT饱和电压的同时可减小PCB板占用面积、降低设计成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 饱和 通电 测量 电路 | ||
【主权项】：
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