[发明专利]镂空掩膜版及使用镂空掩膜版制造LED芯片的方法在审
| 申请号： | 202010828828.1 | 申请日： | 2020-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN112133798A | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技（宿迁）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/38;C23C14/04;C23C14/18;C23C14/24 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 沈晓敏 |
| 地址： | 223800 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种镂空掩膜版及使用镂空掩膜版制造LED芯片的方法，所述镂空掩膜版设有贯通其上下表面的镂空图形区，所述图形区的形状至少为LED芯片的电流阻挡层、透明导电层、电极、保护层、布拉格反射层和连接电极中一种的图案形状。通过在镂空掩膜版上形成镂空的LED各层图案的图形区，并将其应用在LED芯片的制造流程中，使得LED芯片各层能直接通过镂空掩膜版在LED上沉积或刻蚀形成，从而省去了常规流程中的涂覆光刻胶、曝光显影、图形转移、清洗去胶等多个步骤，从而避免了上述常规工艺流程中易出现的诸如光刻缺陷、清洗不净、金属腐蚀等异常问题，在简化了工艺流程步骤的同时，提高了LED芯片的良率和品质可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 镂空 掩膜版 使用 制造 led 芯片 方法 | ||
【主权项】：
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