[发明专利]一种使用两亲性二氧化硅离子掺杂的钙钛矿薄膜及发光二极管制备方法

摘要

本发明涉及一种使用两亲性二氧化硅离子掺杂的钙钛矿薄膜及发光二极管制备方法。首先在ITO玻璃上，在经过对ITO导电玻璃的清洁和臭氧处理之后，利用旋涂工艺在ITO薄膜之上制备ZnO薄膜以及PEIE薄膜，随后通过两步旋涂而后通过退火获得了使用两亲性二氧化硅离子掺杂的钙钛矿薄膜发光层，再利用旋涂工艺在钙钛矿薄膜上制备空穴传输层，并利用蒸镀技术热蒸发氧化钼和金，最终形成一种使用两亲性二氧化硅离子掺杂的钙钛矿发光二极管器件。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，本发明过两亲性二氧化硅纳米颗粒对FAPbI3这种钙钛矿的掺杂混合，不仅使得纳米颗粒在钙钛矿颗粒间隙之间堆积，从而提高了钙钛矿发光层的抗水氧腐蚀性，而且还防止了电子、空穴在间隙处的直接复合，从而提高了器件的性能。