[发明专利]具有偏角的六方晶系的SiC基板的评价方法在审
| 申请号： | 202010829477.6 | 申请日： | 2017-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN111968902A | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 金子忠昭;芦田晃嗣 | 申请（专利权）人： | 学校法人关西学院 |
| 主分类号： | H01J37/20 | 分类号： | H01J37/20;H01J37/22;H01J37/26;H01J37/28;G01N1/00 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;常殿国 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种具有偏角的六方晶系的SiC基板的评价方法，其特征在于：包括：使用扫描型电子显微镜，基于以相对于作为所述SiC基板的表面的(0001)面的垂线倾斜的入射电子角对该SiC基板的表面入射电子束而获得的影像，来评价所述SiC基板的质量的步骤，所述SiC基板以支撑于倾斜支撑台的状态被照射电子束，所述倾斜支撑台的支撑面具有与所述SiC基板的偏角相同的倾斜角。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 偏角 六方晶系 sic 评价 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于学校法人关西学院，未经学校法人关西学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010829477.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
