[发明专利]雪崩光电二极管及其制作方法在审
申请号: | 202010830174.6 | 申请日: | 2020-08-18 |
公开(公告)号: | CN111816728A | 公开(公告)日: | 2020-10-23 |
发明(设计)人: | 顾宇强;李雪飞;王航;陆书龙 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | H01L31/107 | 分类号: | H01L31/107;H01L31/0216;H01L31/0352;H01L31/18 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰 |
地址: | 215123 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种雪崩光电二极管,该雪崩光电二极管包括衬底以及形成在衬底上的外延部,外延部包括依序层叠在衬底上的倍增层、电荷层和吸收层;其中,电荷层与吸收层之间设有第一波导层,吸收层的背向电荷层的表面上设有第二波导层,第一波导层的折射率和第二波导层的折射率小于吸收层的折射率。本发明解决了现有的雪崩光电二极管的吸收层的厚度太大从而增加载流子渡越吸收层的时间,降低雪崩光电二极管的响应速度的问题。 | ||
搜索关键词: | 雪崩 光电二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的