[发明专利]一种红光LED芯片及制备方法有效
| 申请号： | 202010830380.7 | 申请日： | 2020-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN112968080B | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 翟峰;唐彪 | 申请（专利权）人： | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/44 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 李发兵 |
| 地址： | 402760 重庆市璧*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种红光LED芯片及制备方法，制备红光LED芯片的过程中，通过在红光外延层上设置第一氮化镓膜层，在绝缘基板上设置第二氮化镓膜层，利用第一氮化镓膜层与第二氮化镓膜层间的键合形成键合层，进而通过键合层将红光外延层与绝缘基板结合在一起，实现红光外延层从生长基板到绝缘基板的转移。后续过程中，在绝缘基板上制备好红光LED芯片后，可以直接采用激光分解氮化镓材质的键合层。由于氮化镓对激光的吸收率高，在激光的作用下可以基本被完全分解，避免了在红光LED芯片留下BCB残胶的问题，因此可以提升红光LED芯片与蓝宝石衬底的剥离效果，维护了红光LED芯片的品质与显示效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 红光 led 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
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