[发明专利]用于模拟绝缘子嵌件分层缺陷的试样的制备方法有效
| 申请号： | 202010831821.5 | 申请日： | 2020-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN112083304B | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 吴治诚;张乔根;卜钦浩;高超;周福生;杨芸;黄若栋;王增彬;姚聪伟 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学;南方电网科学研究院有限责任公司;广东电网有限责任公司电力科学研究院 |
| 主分类号： | G01R31/20 | 分类号： | G01R31/20 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人： | 覃婧婵 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于用于模拟绝缘子嵌件分层缺陷的试样的制备方法，所述方法中，机械加工用于模拟绝缘子嵌件分层缺陷的试样的内嵌件，内嵌件与环氧树脂接触的接触面的表面粗糙度小于Ra1.6；内嵌件的表面均匀涂抹脱模剂；将所述内嵌件与模具组装，按照真空脱泡浇注工艺分别进行真空浇注环氧树脂、一次固化、脱模和二次固化形成试样；机械加工所述试样以去除浇注口及表面缺陷，所述试样进行X射线探伤以检测绝缘子嵌件分层缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 模拟 绝缘子 分层 缺陷 试样 制备 方法 | ||
【主权项】：
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