[发明专利]去胶方法在审

专利信息
申请号: 202010832160.8 申请日: 2020-08-18
公开(公告)号: CN111900085A 公开(公告)日: 2020-11-06
发明(设计)人: 王骏杰;吴智勇;梁倪萍;李宇杰 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: H01L21/311 分类号: H01L21/311;H01J37/32
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 曹廷廷
地址: 201315*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种去胶方法。所述去胶方法包括:采用等离子体去除晶圆上的光刻胶的过程中,控制晶圆在去胶设备的反应腔内进行升降运动,以调节所述反应腔内等离子体的分布情况,避免等离子体的分布相对集中对所述反应腔造成损伤。本发明提供的去胶方法通过控制晶圆的升降对反应腔内的等离子体产生扰动作用,改变等离子体的分布情况,使等离子体最密集的部分在一个范围内变动,从而使等离子体对反应罩造成的破坏和腐蚀最大限度地在一个范围内分摊,避免等离子体的分布相对集中造成反应罩的固定位置发生损坏,进而延长所述反应罩的使用寿命并减少生产成本。
搜索关键词: 方法
【主权项】:
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