[发明专利]去胶方法在审
申请号: | 202010832160.8 | 申请日: | 2020-08-18 |
公开(公告)号: | CN111900085A | 公开(公告)日: | 2020-11-06 |
发明(设计)人: | 王骏杰;吴智勇;梁倪萍;李宇杰 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/311 | 分类号: | H01L21/311;H01J37/32 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
地址: | 201315*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种去胶方法。所述去胶方法包括:采用等离子体去除晶圆上的光刻胶的过程中,控制晶圆在去胶设备的反应腔内进行升降运动,以调节所述反应腔内等离子体的分布情况,避免等离子体的分布相对集中对所述反应腔造成损伤。本发明提供的去胶方法通过控制晶圆的升降对反应腔内的等离子体产生扰动作用,改变等离子体的分布情况,使等离子体最密集的部分在一个范围内变动,从而使等离子体对反应罩造成的破坏和腐蚀最大限度地在一个范围内分摊,避免等离子体的分布相对集中造成反应罩的固定位置发生损坏,进而延长所述反应罩的使用寿命并减少生产成本。 | ||
搜索关键词: | 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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