[发明专利]可调反射腔的射频压电谐振器及制备方法在审
| 申请号： | 202010834602.2 | 申请日： | 2020-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN112134539A | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 高安明;刘伟;姜伟 | 申请（专利权）人： | 合肥先微企业管理咨询合伙企业（有限合伙）;合肥尔微企业管理咨询合伙企业（有限合伙） |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;H03H3/04;H03H9/02;H03H9/13;H03H9/205 |
| 代理公司： | 上海段和段律师事务所 31334 | 代理人： | 李佳俊;郭国中 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市庐*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种可调反射腔的射频压电谐振器及制备方法，包括：谐振器衬底1、牺牲层2、磨平防刻蚀材料5、谐振器平板底电极6、谐振器压电材料7、谐振器交叉上电极8、压电层刻蚀窗口9及空气反射腔10；所述谐振器衬底1能够支撑可调反射腔的射频压电谐振器；所述牺牲层2形成于谐振器衬底1之上；所述磨平防刻蚀材料5形成于牺牲层2之中；所述谐振器底电极6采用平板结构；所述谐振器上电极8采用交叉结构；所述谐振器底电极6能够交叉谐振器上电极8形成电场；所述谐振器压电材料7采用压电薄膜材料；所述压电层刻蚀窗口9包括：牺牲层入口单元；本发明具有单片集成多频率优点，克服了传统体声波薄膜谐振器的单片单频率的不足。 | ||
| 搜索关键词： | 可调 反射 射频 压电 谐振器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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