[发明专利]阵列基板的制造方法在审

专利信息
申请号: 202010836728.3 申请日: 2020-08-19
公开(公告)号: CN111952246A 公开(公告)日: 2020-11-17
发明(设计)人: 卓恩宗;李伟 申请(专利权)人: 惠科股份有限公司
主分类号: H01L21/77 分类号: H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362
代理公司: 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 代理人: 南霆;王宁
地址: 518108 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本申请揭露一种阵列基板的制造方法。制造方法包括:在一基材上形成图案化的一第一金属层,其中图案化的第一金属层包括至少一闸极线与至少一闸极,闸极线与闸极连接;于第一金属层上依序形成一闸极介电层与一半导体层;清洗半导体层;在半导体层上形成一第二金属层;以及图案化第二金属层,以形成至少一数据线与至少一薄膜晶体管,其中数据线与闸极线交错设置,且数据线与薄膜晶体管的一源极或一漏极连接。本申请可有效降低阵列基板的数据线断线问题,提高制程良率。
搜索关键词: 阵列 制造 方法
【主权项】:
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