[发明专利]阵列基板的制造方法在审
申请号: | 202010836728.3 | 申请日: | 2020-08-19 |
公开(公告)号: | CN111952246A | 公开(公告)日: | 2020-11-17 |
发明(设计)人: | 卓恩宗;李伟 | 申请(专利权)人: | 惠科股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 南霆;王宁 |
地址: | 518108 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请揭露一种阵列基板的制造方法。制造方法包括:在一基材上形成图案化的一第一金属层,其中图案化的第一金属层包括至少一闸极线与至少一闸极,闸极线与闸极连接;于第一金属层上依序形成一闸极介电层与一半导体层;清洗半导体层;在半导体层上形成一第二金属层;以及图案化第二金属层,以形成至少一数据线与至少一薄膜晶体管,其中数据线与闸极线交错设置,且数据线与薄膜晶体管的一源极或一漏极连接。本申请可有效降低阵列基板的数据线断线问题,提高制程良率。 | ||
搜索关键词: | 阵列 制造 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造