[发明专利]能实现拓扑绝缘体表面态调控的超晶格[GeTe/Sb2 有效
| 申请号： | 202010836781.3 | 申请日： | 2017-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN111952363B | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 程晓敏;夏泽瑛;张瑾;冯金龙;童浩;缪向水 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66 |
| 代理公司： | 杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙) 33231 | 代理人： | 张宇娟 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种能实现拓扑绝缘体表面态调控的超晶格[GeTe/Sb |
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| 搜索关键词： | 实现 拓扑 绝缘体 表面 调控 晶格 gete sb base sub | ||
【主权项】：
暂无信息
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