[发明专利]一种高致密度的碳化硅陶瓷及其制备方法和应用在审

专利信息
申请号: 202010837642.2 申请日: 2020-08-19
公开(公告)号: CN112062572A 公开(公告)日: 2020-12-11
发明(设计)人: 周宇章;吴利翔;郭伟明;朱林林;林华泰 申请(专利权)人: 广东工业大学
主分类号: C04B35/565 分类号: C04B35/565;C04B35/64
代理公司: 广东广信君达律师事务所 44329 代理人: 彭玉婷
地址: 510062 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明属于非氧化物陶瓷材料领域,公开了一种高致密碳化硅陶瓷及其制备方法和应用。所述碳化硅陶瓷是以聚碳硅烷作为前驱体,以Al2O3‑Re2O3为烧结助剂,将聚碳硅烷和Al2O3‑Re2O3球磨混合后,保护气氛下,在500~1200℃裂解,所得碳化硅粉体经预压后在1500~1700℃进行烧结制得。本发明制得的SiC陶瓷的致密度为97%以上,维氏硬度为20~30GPa,抗弯强度为700~1200MPa,断裂韧性为6~12MPa·m1/2,在1200℃下高温强度为600~1000MPa。本发明可实现各种结构复杂的大型结构件的制备,大大地降低了制备成本。
搜索关键词: 一种 致密 碳化硅 陶瓷 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
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