[发明专利]集成电路单元及包括该集成电路单元的电子设备有效
| 申请号： | 202010840234.2 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN111755443B | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;朱正勇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 公开了一种集成电路单元及包括该集成电路单元的电子设备。根据实施例，集成电路单元可以包括：依次叠置在衬底上的用于第一器件的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层以及用于第二器件的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层，其中，在第一器件中，沟道层包括彼此分离的第一部分和第二部分，第一源/漏层和第二源/漏层分别一体延伸且与沟道层的第一部分和第二部分二者交迭；绕第一器件的沟道层的第一部分和第二部分的外周形成的第一栅堆叠；以及绕第二器件的沟道层的外周形成的第二栅堆叠，其中，各源/漏层和沟道层中至少一对相邻的层的上下的半导体材料不同。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 单元 包括 电子设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
