[发明专利]单光子发射断层成像装置在审

专利信息
申请号: 202010840355.7 申请日: 2020-08-19
公开(公告)号: CN114076974A 公开(公告)日: 2022-02-22
发明(设计)人: 马天予;刘亚强;王学武;王忠 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: G01T1/29 分类号: G01T1/29;G01T1/24;G01T1/202;A61B6/03
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 100084*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 本公开提供了一种单光子发射断层成像装置,包括:多个探测器层,所述多个探测器层包括沿光子运动方向排布的至少两个探测器层,所述至少两个探测器层包括沿光子运动方向在前的探测器层和在后的探测器层,所述在前的探测器层包括闪烁晶体阵列和硅光电倍增器件,所述闪烁晶体阵列中相邻的闪烁晶体条,其耦合的硅光电倍增器件的数目、尺寸和相对闪烁晶体阵列的位置至少有一个不同,即可分辨出不同伽马光子方向信息,使来自不同方向的伽马光子穿过所述在前的探测器层的概率不同,从而使所述在前的探测器层对所述在后的探测器层具有伽马光子准直的效果。
搜索关键词: 光子 发射 断层 成像 装置
【主权项】:
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