[发明专利]一种产生单一手性近场的结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202010840366.5 | 申请日： | 2020-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN111929754A | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 中山科立特光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02B5/00 | 分类号： | G02B5/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 528458 广东省中山市中山火炬开发区中心城区港*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种生单一手性近场的结构及其制备方法，结构包括基底和多个手性近场单元，所述多个手性近场单元呈周期排列设置在所述基底上；手性近场单元包括金属底板、第一金属侧板和第二金属侧板，所述金属底板设置于所述基底上，所述第一金属侧板和所述第二金属侧板设置于所述金属底板上，所述第一金属侧板与所述第二金属侧板之间具有间隙。本发明中由于金属底板抑制两金属板之间的驻波传播，在间隙内形成了陷波模式，第一金属侧臂上为正电荷，第二金属侧壁上为负电荷，所以电场和磁场的方向在间隙内不会变化，可以在间隙内产生单一手性近场。另外陷波模式会聚集大量的电磁波，产生的单一手性近场会更强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 产生 单一 手性 近场 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山科立特光电科技有限公司，未经中山科立特光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010840366.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种新型物料弹射投送装置
- 下一篇：平急模块箱顶部总成
